针对α和β带电粒子的探测，钝化离子注入平面硅探测器（PIPS）为新一代性能优异的核探测器。

      PIPS探测器为结型半导体探测器，其制作原理主要为利用加速器产生具有一定能量的正离子束流，使其直接穿透半导体材料（硅）表面而形

成PN结。带电粒子在探测器的耗尽区里发生相互作用产生大量的电子空穴对，它们最初的空间分布取决于射线的种类和能量。随后，在一定时

间内这些电子空穴对被分离和收集，这一时间取决于电子空穴对的几何位置、探测器耗尽区的电场强度和电场的分布以及器件工作温度下的载

流子迁移率。收集时间的不同造成了脉冲上升时间的不同。

       α、β 粒子在探测器中的射程不同，使得电子空穴对分布不同，电荷收集时间也不同，从而探测器最终输出的脉冲形状也不同。

       成都迪泰科技有限公司可提供各种标准规格及定制其他规格的PIPS探测器，如下：

探测灵敏区面积 （mm2）	α能量分辨率 （keV）	β能量分辨率 （keV）	探测器类型	灵敏区厚度 （μm）	探测器偏压 （V）	应用类型
50	12	6	高分辨率型	300 ± 30	50-70	α/β能谱测量
100	14	8	高分辨率型	300 ± 30	50-70	α/β能谱测量
300	16	14	高分辨率型	300 ± 30	50-70	α/β能谱测量
450	20	15	高分辨率型	400 +/- 30	50-70	α/β能谱测量
450	25	17	镀层型	400 +/- 30	50-70	空气放射性监测
600	25	23	高分辨率型	400 +/- 30	50-70	α/β能谱测量
600	30	20	镀层型	400 +/- 30	24-48	空气放射性监测
900	30	20	高分辨率型	400 +/- 30	50-70	α/β能谱测量
900	35	23	镀层型	400 +/- 30	50-70	空气放射性监测
1200	35	30	高分辨率型	400 +/- 30	50-70	α/β能谱测量
1200	38	33	镀层型	400 +/- 30	50-70	α/β能谱测量
*成型时间：≤1μs *以上为常用标准规格，可按用户需求提供其他更大探测面积的规格定制。